美國俄亥俄州立大學物理學家在新一期《科學》雜志上報告稱,他們開發(fā)出一種技術(shù),可通過重新排列半導體中的原子空穴,來調(diào)節(jié)摻雜其中的雜質(zhì)屬性。盡管該技術(shù)目前只在實驗室中獲得成功,但研究人員認為,其對于未來的工業(yè)發(fā)展具有重大價值,隨著手機和計算機芯片的持續(xù)小型化,半導體中單個原子的行為表現(xiàn)將日顯重要。
研究小組對半導體中雜質(zhì)原子的屬性如何受到周圍其他原子排列的影響進行了研究。小組負責人、俄亥俄州立大學物理系助教杰·加普特解釋說,他們利用隧道掃描顯微鏡的電場來推動原子,對摻雜了錳的砷化鎵半導體材料中的空穴(通常被認為是缺陷)進行重新排列,比如,將一個砷原子輕輕推到鄰近的空穴上,該砷原子原來所處的位置便會留下一個新的空穴,這個新空穴有自己的電場。研究小組發(fā)現(xiàn),在這個電場的作用下,雜質(zhì)錳原子的能級會發(fā)生改變,空穴距離靠近,錳原子的能級就會降低,反之則會增高。
摻加雜質(zhì)能夠降低半導體的電阻,提高其導電性能,而雜質(zhì)的能級則是起決定作用的關(guān)鍵參數(shù)。加普特說:“雜質(zhì)貢獻一個電子或者獲得一個電子的能力取決于其結(jié)合能,通過在錳周圍制造空穴,我們調(diào)整了它的結(jié)合能。”
雖然芯片制造商還不可能馬上就將隧道掃描顯微鏡納入其生產(chǎn)線,但加普特認為,他們能夠更實際地利用這一新發(fā)現(xiàn),那就是對位于芯片表面的金屬電極施加一個微小的電場。
該技術(shù)應(yīng)該對生產(chǎn)商具有一定的吸引力,因為其不僅短期內(nèi)可以提高現(xiàn)有的芯片技術(shù),從長遠來看,也有助于開發(fā)新的芯片設(shè)計。目前,單個芯片中包含了數(shù)十個對芯片性能至關(guān)重要的雜質(zhì)原子,隨著芯片不斷小型化,每個原子的表現(xiàn)所起到的決定性作用也逐漸加大,這種能夠控制單個雜質(zhì)原子新技術(shù)的重要性不言而喻。
盡管技術(shù)還有待發(fā)展,但將來計算機的邏輯控制系統(tǒng)和內(nèi)存可望被集成在一張芯片上,使用這種芯片的計算機從理論上來說不僅更節(jié)能,而且永遠不需要重啟。